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基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应

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基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应
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《物理学报》 2019年第24期
《物理学报》2019年第24期文献
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